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AVR电源管理——睡眠模式范例
//管脚定义
#define LED 0 //PB0 驱动LED，低电平有效
#define KEY_INT2 0 //PB3 按键， 低电平有效
void delay_10ms(unsigned int t)
{
/*
由于内部函数_delay_ms() 最高延时较短
262.144mS@1MHz / 32.768ms@8MHz / 16.384ms@16MHz
故编写了这条函数，实现更长的延时,并能令程序能适应各种时钟频率
*/
while(t--)
_delay_ms(10);
}
int main(void)
{
unsigned char i;
//上电默认DDRx=0x00,PORTx=0x00 输入，无上拉电阻
PORTA=0xFF; //不用的管脚使能内部上拉电阻。
PORTC=0xFF;
PORTD=0xFF;
PORTB=0xFF;
DDRB =(1<<LED); //PB0设为输出高电平，灯灭
/*
端口引脚
进入休眠模式时，所有的端口引脚都应该配置为只消耗最小的功耗。
最重要的是避免驱动电阻性负载。
在休眠模式下I/O 时钟clkI/O 和ADC 时钟clkADC 都被停止了，输入缓冲器也禁止了，从而保证输入电路不会消耗电流。
在某些情况下输入逻辑是使能的，用来检测唤醒条件。用于此功能的具体引脚请参见“ 数字输入使能和休眠模式” 。
如果输入缓冲器是使能的，此时输入不能悬空，信号电平也不应该接近VCC/2，否则输入缓冲器会消耗额外的电流。
IO作输出(DDR=1)时，维持状态不变
*/
/*
看门狗定时器(上电默认是关闭的)
如果系统无需利用看门狗，这个模块也可以关闭。
若使能，则在任何休眠模式下都持续工作，从而消耗电流。
在深层次的睡眠模式下，这个电流将占总电流的很大比重。
假设看门狗定时器使能了，关闭程式如下
1. 在同一个指令内对WDTOE 和WDE 写"1“，即使WDE 已经为"1“
2. 在紧接的4 个时钟周期之内对WDE 写"0”
*/
WDTCR=(1<<WDTOE)|(1<<WDE);
WDTCR=(0<<WDE);
//或使用wdt.h里面的wdt_disable()函数
/*
模数转换器(上电默认是关闭的)
使能时， ADC在睡眠模式下继续工作。
为了降低功耗，在进入睡眠模式之前需要禁止ADC。
重新启动后的第一次转换为扩展的转换。
假设模数转换器使能了，关闭程式如下
*/
ADCSRA=(0<<ADEN);
/*
模拟比较器(上电默认是打开的，需要手工关闭)
在空闲模式时，如果没有使用模拟比较器，可以将其关闭。在ADC 噪声抑制模式下也是如此。
在其他睡眠模式模拟比较器是自动关闭的。
如果模拟比较器使用了内部电压基准源，则不论在什么睡眠模式下都需要关闭它。否则内部电压基准源将一直使能。
关闭程式如下
*/
ACSR=(1<<ACD);
/*
掉电检测BOD (由熔丝位BODEN控制)
如果系统没有利用掉电检测器BOD，这个模块也可以关闭。
如果熔丝位BODEN 被编程，从而使能了BOD 功能，它将在各种休眠模式下继续工作。
在深层次的休眠模式下，这个电流将占总电流的很大比重。
设置熔丝位BODEN=1 关断BOD功能
*/
/*
片内基准电压
使用BOD、模拟比较器和ADC 时可能需要内部电压基准源。
若这些模块都禁止了，则基准源也可以禁止。
重新使能后用户必须等待基准源稳定之后才可以使用它。
如果基准源在休眠过程中是使能的，其输出立即可以使用。
当BOD、模拟比较器和ADC都禁止了，则基准源也自动禁止了。
*/
/*
JTAG 接口与片上调试系统
如果通过熔丝位OCDEN使能了片上调试系统，当芯片进入掉电或省电模式时主时钟保持运行。
在休眠模式中这个电流占总电流的很大比重。
下面有三种替代方法：
1 不编程OCDEN
2 不编程JTAGEN
3 置位MCUCSR 的JTD
当JTAG 接口使能而JTAG TAP 控制器没有进行数据交换时，引脚TDO 将悬空。
如果与TDO 引脚连接的硬件电路没有上拉电阻，功耗将增加。
器件的引脚TDI 包含一个上拉电阻，因此在扫描链中无需为下一个芯片的TDO 引脚设置上拉电阻。
通过置位MCUCSR寄存器的JTD 或不对JTAG 熔丝位编程可以禁止JTAG 接口。
JTD: 禁止JTAG 接口(MCU控制与状态寄存器MCUCSR Bit7)
此位为0 时，如果JTAGEN熔丝位被编程则JTAG 接口使能。
如果这位为1， JTAG接口禁止。
为了避免无意的禁止或使能JTAG接口，必须通过一个时间序列来改变JTD 位。
应用软件必须在四个时钟周期内将期望的数值两次写入JTD。
如果JTAG 接口没有与其他JTAG电路连接， JTD应该置位。这样做的原因是为了避免JTAG接口TDO引脚的静态电流。
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